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（起首：财联社）

《科创板日报》9月12日讯（裁剪 宋子乔） 据韩联社等多家韩媒今早报说念，SK海力士12日秘书，已得手完成面向AI的超高性能存储器新址品HBM4的开采，已矣了群众最高水平的数据措置速率和能效，并在群众初次构建了量产体系。

音问发布后，SK海力士（000660. KRX）股价当日盘中一度高涨超5%。

高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直勾通多个DRAM，与现存的DRAM比拟，能显耀素质数据措置速率，当今已推出六代居品——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。

据海力士先容，比拟前一代居品（HBM3E），新一代HBM4的数据传输通说念（I/O）从1024条素质至2048条，带宽较之扩大一倍，与此同期，其HBM4已矣了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速率，这大幅高出JEDEC圭臬律例的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外，该居品能效素质40%。这意味着，其HBM4不仅在单元时安分措置的数据量有了纷乱素质，还可裁汰数据中心电力老本。

SK海力士瞻望，将该居品引入客户系统后，AI处事性能最高可素质69%。这能让AI检修和推理更快、更高效。

SK海力士在HBM4的开采经由中选用了自研的MR-MUF封装工夫和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，MR-MUF工艺指在堆叠半导体芯片后，通过向芯片症结注入液态保护材料并固化的相貌保护层间电路，相较逐层堆叠芯少顷铺设薄膜材料的传统相貌，该工艺遵循更高且散热成果优异。

SK海力士副总裁、HBM开采负责东说念主赵柱焕（Kwon Eon-oh）暗示，“HBM4的开采将成为业界新的里程碑”，并补充说念，“咱们将实时提供赋闲客户条目的性能、能效、可靠性等居品，确保在AI内存市集的竞争上风，并已矣快速上市。”

赵柱焕是DRAM领域的大众，于2022年将群众首创的下一代工艺High-K Metal Gate (HKMG)引入到出动DRAM、LPDDR中，提高了速率并裁汰了功耗铺张。2023年，他晋升为SK海力士高管，承担起完成该公司HBM工夫道路图的重担。

SK海力士AI Infra部门总裁兼首席营销官金柱善（Kim Ju Seon）则明确表态：“HBM4是摧残AI基础技艺局限性的符号性调养点，SK海力士将通过实时供应AI期间所需的最高品性和千般化性能内存，成长为一家全栈式AI内存提供商。”（小K注：SK海力士AI Infra是该公司为专注东说念主工智能领域成就的孤独业务部门，主要负责AI半导体关系业务，包括新一代HBM芯片等东说念主工智能工夫的研发与市集拓展）

HBM关于AI能（相当是大范畴检修和推理）、高性能猜想以及高端显卡至关枢纽，它约略极大缓解数据糊涂的瓶颈，让GPU等措置器高效运转。

当今高端HBM市集主要由三星、好意思光、海力士三大巨头主导，头部厂商在HBM上的竞争颠倒浓烈。SK海力士的HBM居品市集占有率位列第一，新品迭代上，这次SK海力士跳动一步，但三星和好意思光也在积极跟进，两者均也曾开采了HBM4居品，前者正在筹办样品坐褥，筹办在2025年第四季度驱动初期坐褥，意见是搭载于英伟达2026年推出的Rubin AI GPU，正筹办复原建造平泽第五工场，为下一代HBM准备产能，后者已推出12层堆叠36GB HBM4样品，参加客户考证阶段，筹办2026年认真量产。

背负裁剪：于健 SF069